# 三星行動HBM封裝技術強化 傳以VCS+ FOWLP瞄準邊緣AI

三星電子正在開發一套名為「多層堆疊式FOWLP」的新型封裝技術，目標是將HBM高效能記憶體直接整合進智慧型手機與平板裝置，突破行動端AI的效能瓶頸。隨著生成式AI模型大規模進入消費性終端，設備端算力需求急劇攀升，傳統記憶體頻寬與功耗限制已成為最大障礙。三星這項技術結合超高縱橫比銅柱與扇出型晶圓級封裝，對既有垂直堆疊架構進行大幅改良，試圖在手掌大小的裝置中實現過去僅見於資料中心的AI推論能力。

為何需要行動版HBM？

傳統的行動裝置動態隨機存取記憶體（LPDDR）多採用打線接合（Wire Bonding）技術，其輸出/輸入端子數量通常限制在128至256個之間。當嘗試提升傳輸效率時，訊號損耗與發熱問題便急劇惡化，成為行動端AI效能的天花板。隨著旗艦手機承載愈來愈多本地端AI任務，無論是高畫質影像生成、即時語言翻譯還是複雜的個人助理功能，都需要更寬廣的記憶體頻寬支撐。

業界預估，行動端AI的頻寬需求將從目前的LPDDR5X水平提升至接近伺服器等級。與此同時，智慧型手機內部空間的競爭卻日益激烈：影像模組越來越大、電池越來越厚、散熱系統越來越複雜，AI晶片的面積也在持續擴張。在這場「空間爭奪戰」中，若HBM仍被排除在行動裝置之外，將嚴重限制未來智慧手機的AI能力上限。

VCS與FOWLP的技術融合

三星此次研發的核心概念名為「Multi Stacked FOWLP」，其基礎是該公司已投入開發多年的VCS（垂直銅柱堆疊，Vertical Copper-post Stack）技術。VCS透過將DRAM以階梯式結構堆疊，並以銅柱填補間隙，實現了在有限空間內的多層記憶體堆疊。

新技術的突破在於將VCS封裝中使用的銅柱縱橫比（aspect ratio）從傳統的3至5:1大幅提升至15:1至20:1。這種極高縱橫比設計大幅增加了單位面積下的數據連接密度，理論上可帶來15%至30%的頻寬提升，同時將記憶體堆疊層數增加一倍以上。然而，縱橫比的提升也帶來了新的工程挑戰：當銅柱直徑縮小至10微米以下時，將面臨彎曲甚至斷裂的風險。

這正是FOWLP技術發揮價值的時刻。FOWLP（扇出型晶圓級封裝）透過將晶粒嵌入模具化合物中並向外延伸佈線，不僅提供了銅柱所需的結構支撐，更能增加I/O端子數量並強化整體封裝的可靠度。這種VCS與FOWLP的融合方案，被視為將HBM級效能引入行動裝置的最可行路徑。

散熱管理：AI手機的隱形挑戰

HBM帶來的高頻寬伴隨著高功耗與高發熱，這在空間受限的智慧型手機中構成嚴峻挑戰。三星在Exynos 2600處理器中首度導入的HPB（散熱路徑區塊）技術，為這個問題提供了部分解答。HPB採用高導熱率的銅材，能迅速將熱量從晶片傳導至手機散熱系統，熱導率約為400 W/m·K，遠優於傳統封裝材料。

值得注意的是，行動版HBM的散熱設計比伺服器應用更為複雜。在資料中心，風扇與水冷系統可以不受限制地運作；但在智慧型手機中，散熱解決方案必須在極度有限的空間內發揮效用，同時不能增加太多重量或犧牲電池容量。三星透露，其開發的3D TIM（熱介面材料）技術已能將熱點覆蓋面積提升超過118%，成為HPB之外的另一散熱利器。

量產時程與市場影響

目前這項技術仍在開發階段，具體量產時程尚未確認。業界推測，若一切順利，三星最快可能在Exynos 2800中率先導入這項技術。據傳Exynos 2800將是三星首款搭載自研GPU的SoC，記憶體架構的革新將是其重要賣點之一。另一個可能的落地節點則是後續的Exynos 2900處理器。

蘋果與華為同樣傳出在評估將HBM技術引入智慧型手機的可能性。然而，考慮到美中科技戰的影響，三星是否會向華為供應相關方案存在高度不確定性。蘋果是否向三星採購行動HBM封裝，目前也未有定論。

業界人士指出，在伺服器與資料中心對HBM的需求持續飆升之際，三星很難將所有資源投入行動版HBM開發。如何在技術成熟度與量產時程之間取得平衡，將是三星面臨的核心挑戰。若行動HBM的發展落後於市場期待，可能反而為競爭對手打開突破口。

行動AI時代的硬體革命

三星的行動版HBM計畫，揭示了AI時代硬體需求的根本轉變。過去智慧型手機的硬體升級主要集中在處理器製程微縮與核心數增加，但隨著AI工作負載的興起，記憶體與封裝技術的戰略地位正快速攀升。

試想未來旗艦手機的願景：200億參數的大型語言模型在本地流暢運行，複雜的影像生成任務瞬間完成，語音助理的反應如同與真人對話。要實現這些場景，所需的記憶體頻寬已非傳統LPDDR所能滿足，而HBM正是填補這個缺口的解答。三星能否成功將這項源自伺服器時代的技術重新改造並引入消費性裝置，將決定其在下一代行動AI市場中的話語權。

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**參考來源：**

1. [三星擬開發移動版HBM，將結合VCS與FOWLP封裝技術 - ETNews/e中電網](https://m.eccn.com/consultation/news/2026051916132793.html) 2. [Samsung Plans To Transform Your Smartphone & Tablet Into On-Device AI Powerhouses With High-Bandwidth Memory Chips Using Complex Packaging - Wccftech](https://wccftech.com/samsung-developing-hbm-chips-for-smartphones-and-tablets-for-on-device-ai/) 3. [Samsung Galaxy S28 might launch with AI server-grade HBM memory - Sammy Fans](https://www.sammyfans.com/2026/05/17/samsung-galaxy-s28-exynos-2800-2900-mobile-hbm-tech/) 4. [Samsung to Introduce Powerful On-Device AI as Early as Exynos 2800 - SammyGuru](https://sammyguru.com/samsung-to-introduce-powerful-on-device-ai-as-early-as-exynos-2800/) 5. [三星行動HBM封裝技術強化 傳以VCS+ FOWLP瞄準邊緣AI - TechNews 科技新報](https://technews.tw/2026/05/18/samsung-hbm-chips-vcs/)