三星全球首款 900 層 V-NAND 原型問世　邁向千層記憶體時代

三星電子（Samsung Electronics）固態儲存事業再創里程碑。2026年5月25日，根據《ETNews》與多家韓國半導體媒體報導，三星研發團隊成功驗證了全球首款 900 層 V-NAND 快閃記憶體晶片的正常運作，宣告在半導體三維堆疊的極限挑戰上寫下新頁。這款原型採用三星稱為「Cell Multi-Bonding（CMB）」的嶄新架構，將兩片分別建立的 450 層細胞晶圓進行精密鍵合，而非傳統在單一基板上逐層蝕刻累積的製程。

為何要跳脫傳統疊加法？答案在物理極限。三星自2013年率先量產 3D V-NAND 以來，長期依賴「井眼蝕刻」（channel hole etching）技術——在厚重的材料疊層上一次性微創井孔，再於孔壁生長儲存單元。然而，隨著層數向 400、500、600 層推進，單一井孔的深寬比（aspect ratio）已逼近半導體設備與光學的物理極限，良率與晶片翹曲問題日益嚴峻。三星坦言，在 400 層以上的範圍，傳統方法已遇到明顯瓶頸。

CMB 技術的解決方案，是將疊層分而治之：先以最優化的條件，分別製造兩片 450 層細胞晶圓，再以三星自行研發的「上蓋結構（Upper Chuck）」解決翹曲問題，並透過新世代「Overlay Correction」疊層校正技術，確保兩片晶圓鍵合時，億萬個儲存單元能完美對齊。鍵合後，再引入新型 Bitline（BL）與 Wordline（WL）結構，同時達成降低功耗與縮小晶片面積的雙重優化。

900 層原型登場的時機別具意義。在當前市場，SK 海力士（SK Hynix）以 321 層 4D NAND 保持量產層數領先，三星自己最高量產品為第 9 代 V-NAND（V9），層數為 286 層，僅有 900 層的約三分之一。中國長江存儲（YMTC）則在政府補貼與設備國產化助攻下，加速追趕，已進入 294 層量產階段並瞄準 300 層大關。三星趕在此時秀出 900 層原型的意義，不在現在的市場，而在他日後量產的技術話語權。

《BigGo Finance》引述產業人士分析：「900 層 NAND 技術不是300層的三倍，而是堆疊製程的範式轉移。這等於向全球客戶宣告：三星仍是技術領先者，同時也對中國競爭對手的追趕形成戰略性阻斷。」

不過，900 層原型仍屬研發階段驗證，距離商業化量產仍遠。三星表示，目前 V10（第10代 V-NAND，400 層以上）正在加速興建產線，目標2026年下半開始投產，採用的是改良版垂直蝕刻與 Bonding Vertical（BV）技術。至於 CMB 架構，則是為 1,000 層以上的未來產品做準備。三星技術負責人宋在赫（Song Jae-hyuk）已對外表示：「利用晶圓鍵合技術，我們可以在單一 NAND 元件中實現 1,000 層以上。」

整體而言，在 AI 催動大容量 SSD 需求爆發的背景下，層數競賽已成為記憶體廠商的戰略主軸。業界預期，2027 年後 512TB 以上容量的企業級 SSD 將逐步普及，而要在此容積比下控制功耗與成本，沒有 500 層以上的堆疊技術幾乎不可能。三星在 900 層原型上驗證的 CMB 路徑，讓千層 NAND 的量產時間表，從2030年的樂觀預期，向前拉近到2028年前後的合理區間。