SK 海力士 HBM4 攜手台積電 AI 記憶體客製化時代來臨
【2026-04-24】SK 海力士在台積電2026年技術研討會上,揭示 HBM4 完整技術藍圖,宣示將採用台積電 12 奈米邏輯製程代工 base die,取代自有製程。這項決定讓 HBM4 的頻寬較 HBM3E 翻倍,功耗降低逾 40%,代表 AI 記憶體從標準零件走向「客戶定制」的重大轉型。三星則以全球首款 16 層 HBM4 率先通過輝達與超微認證,預計 2026 年每月產能達 17 萬組;三家公司激烈搶奪 2026 年 HBM4 量產頭香。
SK 海力士(SK Hynix)在台積電2026年北美技術研討會上,發表了第六代 HBM4 的完整發展藍圖,最關鍵的宣示是:HBM4 將採用台積電的先進邏輯製程代工 base die(基礎晶片),而非 SK 海力士自家製程。這是 HBM 發展史上第一次,記憶體供應商將核心邏輯元件委外給晶圓代工廠。
根據《Aju Press》、《DIGITIMES》與《BigGo Finance》報導,SK 海力士總裁兼開發長安賢( Ahn Hyun)在專題演講中指出:「AI 技術目前最大的障礙是記憶體瓶頸——頻寬不足,正在妨礙資料處理速度的進一步提升。」他說明,SK 海力士的策略將從供應標準 HBM,轉向提供「客戶定制 HBM」,結合台積電 CoWoS 先進封裝,為全球大型科技公司提供完整解決方案。
為何 base die 如此關鍵?HBM 的 base die 連接 GPU 並控制整個記憶體堆疊的運算,是決定頻寬與功耗的核心元件。SK 海力士從 HBM 到 HBM3E 皆使用自家製程,但走向 HBM4 後,隨著堆疊層數與訊號速度持續提升,自有邏輯製程的效能已觸及瓶頸。採用台積電 12 奈米 Logic 製程,可將 base die 的邏輯密度與功耗效率同步提升。SK 海力士表示,新設計讓 HBM4 頻寬較 HBM3E 翻倍,功耗降低逾 40%。
在這場 HBM4 大競賽中,三星電子率先取得認證領先。根據《BigGo Finance》引述的行業數據,三星以全公司一貫的垂直整合優勢,從晶片設計、晶圓製造到先進封裝一手包辦,16 層垂直堆疊的 HBM4 產品已率先通過輝達(NVIDIA)與超微(AMD)的最終認證,並於 2026 年 2 月開始量產,預計每月產能達 17 萬組。三星還宣稱,這是業界第一個同時獲得兩家 AI 晶片廠認證的 HBM4 供應商。
然而三星在 HBM3E 階段曾因認證延誤而落後,這次透過提前佈局 HBM4 收復失土。SK 海力士則預計 2026 年第二季開始量產 HBM4,目標每月產能 16 萬組,落後三星一個季度左右,但隨著時間進入下半年,SK 海力士有望在輝達 Rubin 平台認證中取得更多份額。
對台積電而言,HBM4 合作策略別具意義。過去台積電只負責邏輯 IC 代工,如今隨著 CoWoS 先進封裝需求爆發,台積電與記憶體供應商的協作深度已從單純的客戶關係,升級為共同設計、共同優化的夥伴關係。台積電總裁魏哲家曾在法說會上表示,CoWoS 產能「已預訂到 2026 年」,而 SK 海力士此次在台積電研討會上公開技術藍圖,等於為台積電的 CoWoS 需求提供了一個長期成長的故事。
展望後市,HBM 市場的瘋狂不只是技術競賽,更是財務保證。根據韓國券商預測,SK 海力士 2026 年第二季營收可達 74.5 兆韓元,營業利益有望突破 60.2 兆韓元。HBM4 將推動其出貨量較前季成長 7%,而價格可再調漲約 4%。在這個同時享有量與價漲幅的結構下,HBM 廠商的毛利率正來到歷史高點。
參考來源
- Aju Press – SK hynix unveils HBM4 roadmap at TSMC symposium (2026-04-23)
- DIGITIMES – SK Hynix deepens TSMC ties with HBM4 (2026-04-24)
- BigGo Finance – SK Hynix to Begin World's First Mass Production of HBM4 in February 2026 (2025-12-25)
- BigGo Finance – HBM4 Mass Production Race Heats Up (2026-04-14)
- Seoul Economic Daily – Samsung, SK Hynix to Begin World's First HBM4 Mass Production in February (2025-12-25)
- DIGITIMES – Nvidia's HBM4 tests near completion as SK Hynix ramps 1b DRAM (2026-02-03)