HBM 進入超級循環！SK 海力士 1c 良率達 80% 三星吞美光痛失 Rubin 大單
【2026-06-01】HBM 進入由 AI 驅動的「超級循環（supercycle）」，SK 海力士 1c DRAM 良率突破 80%、年內將半數產能切換至新製程，年底月產能上看 19 萬片，並提前卡位下一代 HBM4E 為輝達 2027 年下半年 AI 加速器主力供應商。三星則以「Turn-key 一站式垂直整合」策略，與 SK 海力士同獲輝達 Vera Rubin 平台 HBM4 訂單；美光（HBM 占比約 18%）意外落選，痛失 Rubin 大單。台廠南亞科（2408）、華邦電（2344）受惠記憶體超級週期，5 月股價漲幅逾 20%。
HBM 超級循環的三條劇本
2026 年 HBM 市場規模預估達 800 億美元，較 2025 年 480 億美元成長 67%。三條劇本並行：（1）SK 海力士憑藉 1c 良率突破與輝達長期合約，2026 年 HBM 市占上看 50%；（2）三星以「記憶體 + 邏輯 + 封裝」Turn-key 方案重返戰場，2026 年 HBM 市占率從 20% 提升至 35%；（3）美光雖然 2026 年底前 HBM 產能「全部售罄」，但因輝達 Rubin 平台僅向 SK 海力士、三星採購 HBM4，美光痛失最大客戶新平台訂單，2026 年 HBM 市占率下滑至 18%。
SK 海力士的關鍵進度
SK 海力士 1c 製程（第六代 10 奈米級 DRAM）良率達 80% 業界領先，年內將半數產能切換至新製程，年底月產能可達 19 萬片；並大幅增加 EUV 設備投資，將成為下一代 HBM4E 核心，以支援輝達 2027 年下半年推出的 AI 加速器 Rubin Ultra。在 HBM3E 方面，SK 海力士仍是輝達 Blackwell 系列（B200、GB200、GB300）獨家供應商，市占率超過 90%。
三星的 Turn-key 差異化策略
三星電子以「Turn-key 一站式垂直整合方案」實現差異化，整合記憶體（HBM4）、邏輯晶片代工、SoIC 3D 封裝與 CoWoS 同類技術，目標客戶是希望降低供應鏈複雜度的 Google TPU v7、AWS Trainium 3 等雲端 ASIC 平台。三星同時供應 HBM4 給輝達 Vera Rubin 平台，與 SK 海力士並列雙供應商，預期 2026 年 HBM 營收上看 200 億美元，年增逾 100%。
美光的兩難與契機
美光 2026 年 HBM 產能雖已全部售罄，且 HBM 占其總營收比重已突破 30%，但因輝達 Vera Rubin 平台 HBM4 供應商未含美光，痛失下一代旗艦加速器訂單。美光的應對策略：（1）加速 HBM4E 研發，目標 2027 年 Q1 通過輝達 Rubin Ultra 認證；（2）擴大對 Google TPU、AWS Trainium、Meta MTIA 等 ASIC 客戶的供應；（3）強化 1γ DRAM 與第九代 NAND 主流記憶體市占，預估 2026 年中採用 1γ 節點生產的 DRAM 將占其總位元出貨量的 50% 以上。
台廠記憶體的順風與風險
台灣 DRAM 廠以南亞科（2408）、華邦電（2344）為代表，5 月股價漲幅分別達 28%、23%，受惠於標準型 DDR5 與 LPDDR5 需求回升，以及 HBM 產能排擠效應帶動 DRAM 整體漲價。NAND Flash 族群則包括群聯（8299）、威剛（3260）、十銓（4967）受惠企業級 SSD 需求，2026 年 Q2 報價已較 Q1 上漲 25%。風險方面，包括中國長鑫存儲（CXMT）成熟製程產能開出、超微與 Google 在非 HBM 領域自製晶片等長期變數。