美光 HBM4E 將於 2027 Q1 量產並採用台積電 3 奈米基礎晶片　誓言重返輝達 Rubin Ultra 供應鏈

HBM4E 規格：64GB、12.8GT/s、TSMC 3 奈米基礎晶片

Tom's Hardware 引述美光最新季報與 GUC 共同發表的技術白皮書指出，HBM4E 將支援 24Gb 容量堆疊，64GB 容量將於 2027 年底後成為主流，並搭配 TSMC 3 奈米 N3P 製程打造的客製化 base logic die，使整體頻寬較 HBM4 提升約 2.5 倍、達到 12.8 GT/s。此外，TSMC 同步發表 C-HBM4E 客製化方案，可由記憶體廠依客戶需求調整 IO 與電源管理電路，協助美光、SK 海力士等與 NVIDIA Rubin Ultra 平台進行深度 co-design，目標在維持 CoWoS-L 封裝相容性的前提下，大幅提升每瓦效能。

重返 NVIDIA 供應鏈：Rubin Ultra 與 Feynman 雙線並進

美光此次策略性押寶 TSMC，被視為「重返 NVIDIA AI 供應鏈」的關鍵動作。事實上，美光在 2024 年 Hopper 平台時曾是 NVIDIA HBM3 供應商，但 2025 年 Blackwell 與 Blackwell Ultra 世代因基礎晶片研發進度落後，市佔被 SK 海力士與三星擠壓。TrendForce 指出，美光已確認將以 HBM4E 切入 Rubin Ultra（2027 上市）與下一世代 Feynman 平台；Rubin Ultra 因 CoWoS-L 封裝限制將延續 dual-die 設計，TSMC 3 奈米需求動能不減。美光若於 2026 H2 通過 NVIDIA 驗證、2027 Q1 順利量產，法人估算其在 HBM 整體市佔將自 2025 年低點回升至 25% 至 30%。

與 SK 海力士、三星的差異化戰役

SK 海力士在 HBM3 / HBM3E 世代取得領先地位，市佔超過 50%，但其 HBM4E 基礎晶片同樣將轉向 TSMC 3 奈米，與美光形成「同製程、不同堆疊」的競爭格局。TrendForce 指出，SK 海力士 HBM4E 預計 2026 H2 進入風險試產、2027 上半年量產；三星則受 GAA 良率拖累，HBM4E 進度相對落後，預估 2027 下半年才有機會小量出貨。對美光而言，「TSMC 3 奈米 + 自家 1-gamma DRAM」組合若能在能效比（pJ/bit）上勝出，將是其奪回 AI 高速記憶體話語權的關鍵。

供應鏈與台廠連動

TSMC 3 奈米製程原本是蘋果 A19 / A19 Pro、NVIDIA Rubin 等高階 ASIC 的主要產能重鎮，現又加入 HBM4E base die 需求，等同進一步擠壓其他客戶的 3 奈米產能。供應鏈指出，創意（3443）、世芯-KY（3661）等 ASIC 服務商與 GUC、TSMC 三方正在 HBM4E co-design 上合作；ABF 載板與 CoWoS-L 方面，台廠欣興（3037）、南電（8046）則將受惠於 Rubin Ultra 與 HBM4E 同步放量。整體而言，HBM4E 量產已成為 2027 年 AI 伺服器升級週期的核心議題，美光若如期達標，將寫下「二度重返 AI 主流」的新里程碑。