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摘要

根據IDC（國際數據資訊）最新發布的全球記憶體市場報告，2026年上半年DRAM現貨價格已較2025年同期上漲超過140%，而HBM顆粒的合約價格更是季季調漲，累計漲幅已突破200%。報告指出，HBM目前占據全球DRAM總產能約23%，主要被NVIDIA H100/H200/H300系列AI GPU需求吸納，剩餘給PC與手機的標準DRAM產能相對受限，形成結構性供需缺口。

SemiAnalysis發布的深度研究報告進一步指出，這波記憶體上漲並非短期景氣循環，而是AI訓練需求驅動的「剛性短缺」。相較於傳統DRAM，HBM需要額外的TSV（穿孔矽通孔）製程，封測成本是標準DRAM的3至5倍，全球僅有SK海力士（SK Hynix）與美光（Micron）能穩定量產HBM3e。三星電子雖已宣布量產計畫，但良率問題使其仍無法大量交貨。

記憶體成本攀升已直接影響終端產品定價。CNBC報導，蘋果（Apple）已向供應鏈表示，2026年下半年的Mac與iPad新機型將全面調漲，建議零售價漲幅約150至400美元。微軟（Microsoft）的Surface系列亦傳出跟進漲價，平均漲幅約12%至18%。分析師指出，記憶體占一台上游材料成本約30%至40%，在晶片荒加劇下，品牌廠已難以內部吸收，只能轉嫁予消費者。

TechTimes引述美光最新財報指出，美光單季營收年增78%，毛利率達51%，創下歷史新高，並宣布全速擴充台灣A3、A4廠區的DRAM產能。不過，業界估計新產能開出需要18至24個月，2027年上半年之前緩解的可能性偏低。Kavout研究則示警，若HBM需求在2027年出現爆發性增長（如新一波大型語言模型訓練需求），PC與手機記憶體的供應缺口可能進一步擴大至30%以上。